异质结(heterojunction)是两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。

按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-P结或N-N结）和异型异质(P-N或P-N)结，多层异质结称为异质结构。

通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。

利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。

异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。

将p和n混合成一体便构成了bulk heterojunction（本体异质结）。